【導讀】2015 年 5 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3款新600V EF系列快恢復二極管N溝道高壓MOSFET，分別是SiHx21N60EF、SiHx47N60EF以及SiHx70N60EF。這三款器件具備低反向恢復電荷和導通電阻，可提高在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應用中的可靠性，同時能節(jié)省能耗。
今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，充實了Vishay現(xiàn)有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(guān)(ZVA)/軟開關(guān)拓撲。
在這些應用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應用里，可實現(xiàn)極低的導通和開關(guān)損耗。
這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。
器件規(guī)格表：
|
產(chǎn)品編號 |
VDS (V) (最小值) |
ID (A) @ 25 °C |
RDS(on) (m?) @ 10 V (最大值) |
QG (nC) @ 10 V (典型值) |
封裝 |
|
SiHP21N60EF |
600 |
21 |
176 |
56 |
TO-220 |
|
SiHB21N60EF |
600 |
21 |
176 |
56 |
TO-263 |
|
SiHA21N60EF |
600 |
21 |
176 |
56 |
Thin lead TO-220F |
|
SiHG21N60EF |
600 |
21 |
176 |
56 |
TO-247AC |
|
SiHG47N60EF |
600 |
47 |
65 |
152 |
TO-247AC |
|
SiHW47N60EF |
600 |
47 |
65 |
152 |
TO-247AD |
|
SiHG70N60EF |
600 |
70 |
38 |
253 |
TO-247AC |
|
SiHW70N60EF |
600 |
70 |
38 |
253 |
TO-247AD |
