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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產品是業界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
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為大功率和混合動力汽車優化的Vishay負載突降保護器件
現在汽車上的電子設備越來越多，所有連接在供電線路上的電子系統的保護器件不可能平均分擔瞬態能量。瞬態能量對連接的那些最低阻抗的保護器件的影響尤為嚴重。因此，在汽車電子設計中，一個保護器件要能夠安全地承受負載突降狀態瞬變的全部能量。本文介紹了負載突降的概念和該如何去應對該種情況以及Vishay應對該問題的策略和相關電路保護器件。
2009-01-25
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TSOP75xxx ：Vishay最佳敏感度/尺寸比SMD紅外接收器系列
日前，Vishay宣布推出用于遙控系統的新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列 --- TSOP75xxx，從而拓寬了其光電子產品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時 0.35 mA 的超低電流、側視型的厚度僅為 3.0 mm及業界最佳敏感度/尺寸比。
2009-01-23
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Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH） 宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
2009-01-21
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TSOP5038：Vishay傳感器和光障系統應用紅外接收器
日前，Vishay推出為傳感器和光障系統應用優化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓寬了其光電產品系列。
2009-01-19
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VSLB3940：Vishay新型高性能3mm紅外發射器
日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產品系列，且這些新器件的性能特征與領先的 5mm 發射器相當。
2009-01-16
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
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VSMB系列:威世發光波長940nm的紅外LED
日前，Vishay推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發射器系列，從而拓展了其光電子產品系列，這些新推出的器件具有遠高于標準發射器技術的輻射強度。
2009-01-14
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SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出業界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業界首款此類器件。
2009-01-09
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IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大電流電感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進
硅技術的創新已經與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創新形影不離，為了實現更小的占板面積、更好的散熱性能、更高的效率，表面貼裝封裝工藝在不斷進步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封裝上下表面進行冷卻的封裝能力。尺寸類似于標準SO-8封裝，卻有兩個熱路徑，如果采用來自風扇的氣流或附加的散熱器，PolarPAK功率MOSFET就可以處理高得多的電流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。
2008-12-24
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