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微信截圖_20251212173547.png "減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案")
減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案
在全球聚焦可持續(xù)發(fā)展的當(dāng)下，照明與傳感領(lǐng)域巨頭艾邁斯歐司朗與奧德堡集團(tuán)聯(lián)手實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新——推出用于運(yùn)輸LED燈帶及電子元器件的紙質(zhì)卷盤替代方案。該方案在不增加成本的前提下，實(shí)現(xiàn)減重超33%、二氧化碳減排超75%的顯著成效，不僅滿足工業(yè)生產(chǎn)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，更為電子行業(yè)構(gòu)建綠色供應(yīng)鏈樹立了標(biāo)桿...
2025-12-12
艾邁斯歐司朗 二氧化碳 排放 LED 可持續(xù)
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極端環(huán)境救星：AMD EPYC 2005 系列處理器解析
近日，AMD推出業(yè)界首款Zen 5微架構(gòu)嵌入式級(jí)x86處理器——EPYC Embedded 2005系列，為極端環(huán)境下的嵌入式工作負(fù)載帶來性能與能效革新。該系列聚焦空間、功耗及散熱受限場(chǎng)景，覆蓋網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空航天、邊緣AI等多領(lǐng)域，首發(fā)三款型號(hào)以差異化配置滿足不同需求，更在與英特爾競(jìng)品的對(duì)比中展現(xiàn)出顯著的性能...
2025-12-12
AMD 嵌入式級(jí) x86 處理器 工業(yè)機(jī)器人
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簡(jiǎn)單制勝——第一部分：化繁為簡(jiǎn)！BMS秉承簡(jiǎn)單制勝原則兼顧效率與成本
在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，復(fù)雜電路與高成本常成為開發(fā)瓶頸。本文聚焦于主動(dòng)均衡技術(shù)，提出一套“簡(jiǎn)單制勝”的設(shè)計(jì)原型，在不犧牲性能的前提下，通過精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高效能量調(diào)配，為工程師提供一種兼具可靠性與實(shí)用性的創(chuàng)新解決方案。
2025-12-12
BMS 電池管理系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 儲(chǔ)能系統(tǒng)
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以 XCORE? 技術(shù)為核心，XMOS 亮相 CES 2026
生成式系統(tǒng)級(jí)芯片（GenSoc）領(lǐng)軍企業(yè)及音視頻媒體處理AI技術(shù)先鋒XMOS半導(dǎo)體正式宣布，將重磅登陸2026年國際消費(fèi)電子展（CES 2026）。作為全球消費(fèi)電子創(chuàng)新的“確定性坐標(biāo)”，本屆展會(huì)中XMOS將發(fā)布全新技術(shù)矩陣與創(chuàng)新產(chǎn)品陣列，集中呈現(xiàn)其在音頻處理、邊緣AI計(jì)算及智能互聯(lián)領(lǐng)域的突破性成果，為終端設(shè)...
2025-12-12
XMOS 半導(dǎo)體 XCORE? 技術(shù) 芯片 邊緣AI
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微信截圖_20251212101912.png "應(yīng)對(duì)汽車電氣化挑戰(zhàn) 安森美與佛瑞亞海拉共建高可靠性電源解決方案")
應(yīng)對(duì)汽車電氣化挑戰(zhàn) 安森美與佛瑞亞海拉共建高可靠性電源解決方案
2025 年 12 月 11 日，安森美與佛瑞亞海拉深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，宣布后者先進(jìn)汽車平臺(tái)將全面采用安森美 PowerTrench? T10 MOSFET 技術(shù)。該技術(shù)具備超低導(dǎo)通與開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)高功率密度與卓越可靠性，還能降低系統(tǒng)成本。此次合作依托雙方 25 年合作基礎(chǔ)，將為汽車電氣化、軟件定義汽車等新一代架構(gòu)提...
2025-12-12
智能電源 安森美 低柵極電荷
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微信截圖_20251211174120.png "承接 DDR5 轉(zhuǎn)型需求：EPYC Embedded 2005 破解嵌入式痛點(diǎn)")
承接 DDR5 轉(zhuǎn)型需求：EPYC Embedded 2005 破解嵌入式痛點(diǎn)
網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)及工業(yè)邊緣基礎(chǔ)設(shè)施正迎來需求增長(zhǎng)，同時(shí)也面臨著嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)：一方面，這些場(chǎng)景對(duì)硬件的算力、內(nèi)存容量及性能提出了更高要求，卻受限于有限的空間、嚴(yán)格的功耗預(yù)算與長(zhǎng)效的生命周期需求；另一方面，從DDR4向DDR5的技術(shù)升級(jí)需求增長(zhǎng)，市場(chǎng)亟需能夠無縫承接這一轉(zhuǎn)型的高性能嵌入式解決...
2025-12-11
EPYC 嵌入式 AMD 邊緣AI
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TOLL 封裝賦能 GaN 器件：高壓電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的性能突破與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
太陽能發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)展持續(xù)攀升，而光伏逆變器的性能表現(xiàn)，正成為行業(yè)技術(shù)的核心。這類設(shè)備的核心設(shè)計(jì)目標(biāo)，盡可能利用太陽能資源。在眾多技術(shù)突破中，氮化鎵（GaN）材料的應(yīng)用堪稱關(guān)鍵創(chuàng)新。當(dāng)下，氮化鎵正加速替代傳統(tǒng)的硅（Si）基器件及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系統(tǒng)，成為光伏逆變器領(lǐng)域的新一代...
2025-12-11
氮化鎵（GaN） 碳化硅（SiC） TOLL 封裝
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