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南方芯源推出全新A系列MOSFET
南方芯源(Samwin)開(kāi)始向市場(chǎng)推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進(jìn)的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級(jí)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國(guó)外品牌。
2008-10-01
A系列MOSFET 開(kāi)關(guān)電源
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動(dòng)電路必須能夠完成門極驅(qū)動(dòng)和模塊保護(hù)功能。它們還必須能為控制部分和功率半導(dǎo)體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號(hào)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求。為了滿足上述要求，必須對(duì)現(xiàn)有的門極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行優(yōu)化。具體地說(shuō)，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價(jià)比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸...
2008-10-01
IGBT SKYPER 電源隔離 dv/dt
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選擇正確的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>
基于電子設(shè)備的處理器系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員經(jīng)常會(huì)在為他們的應(yīng)用選擇最佳電源架構(gòu)時(shí)遇到困難。有時(shí)最佳的解決方案是插入式電源。而有時(shí)采用由分立的元件組成的電源才是最佳的解決方案。選擇插入式電源解決方案相對(duì)來(lái)說(shuō)比較直接,但對(duì)于缺乏電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的數(shù)字設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)一個(gè)分立電源解決方案可能會(huì)使...
2008-10-01
DC/DC 轉(zhuǎn)換器 感應(yīng)器 IC
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低功耗電源的電感選擇
對(duì)于低功耗開(kāi)關(guān)電源的電感選取有許多特殊注意之處。對(duì)于低功耗、高效率的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯(非低損耗材料)，必將逐步在低功率、高效率的應(yīng)用中淘汰。一種相對(duì)簡(jiǎn)單的電感損耗測(cè)試設(shè)備可以在設(shè)計(jì)的頻點(diǎn)測(cè)試電感的損耗，對(duì)比不...
2008-10-01
BUCK 趨膚效應(yīng) 磁芯損耗 電感
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開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器
開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器是種新興技術(shù)，它結(jié)合了開(kāi)關(guān)電容器和LDO的主要特性，也就是將在Li-Ion 范圍上的高效率和小尺寸結(jié)合到一個(gè)適用于便攜式應(yīng)用的簡(jiǎn)易解決方案中。最近拓樸技術(shù)的發(fā)展也使其通過(guò)被動(dòng)元件的更小值來(lái)達(dá)到更低的噪聲。在便攜式器件中的許多功能要求一個(gè)降壓穩(wěn)壓器，更小的解決方案尺寸和更高...
2008-09-30
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 CFLY LDO FET PWM
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UPS在EMC傳導(dǎo)干擾測(cè)試中的幾個(gè)問(wèn)題
本文介紹了UPS用濾波器扣制電源線在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中遇到的濾波器選擇、安裝等問(wèn)題，給出了在不同條件下的測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其產(chǎn)生原因和防護(hù)措施作了討論。
2008-09-30
UPS不間斷電源 EMC電磁兼容 濾波器
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點(diǎn)，以IGBT為核心器件，設(shè)計(jì)了脈寬調(diào)制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過(guò)流保護(hù)回路。試驗(yàn)結(jié)果表明：在噴霧中使用等離子體技術(shù)，不僅噴霧的特性達(dá)到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。
2008-09-30
物理 等離子體 逆變電源 IGBT 噴霧
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開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)
如今，開(kāi)關(guān)電源體積越來(lái)越小，功率密度越來(lái)越大，EMl/EMC問(wèn)題成為了開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性的一個(gè)關(guān)鍵因素，也是最容易忽視的一個(gè)方面。實(shí)踐證明，EMI問(wèn)題越早考慮，越早解決，費(fèi)用越小，效果越好。隨著各國(guó)電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的加強(qiáng)，電磁兼容性設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視...
2008-09-29
EMC 電磁干擾 EMT 屏蔽措施
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電源高位跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本系統(tǒng)通過(guò)采用可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān)的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無(wú)級(jí)跟蹤控制的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了輸入極電壓對(duì)輸出極電壓的非開(kāi)關(guān)電源方式的全程無(wú)級(jí)高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。
2008-09-29
差壓轉(zhuǎn)換 同步取樣 可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān) 無(wú)級(jí)高位跟蹤
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