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DSP+DSA 架構革新：安謀 “周易” X3 NPU 的技術密鑰
“算力墻”“內存墻”“功耗墻”已成為制約智能終端實現更復雜AI任務與更高計算效率的核心問題。神經網絡處理器（NPU）作為支撐AI計算的核心硬件單元，是突破上述技術困局的關鍵支撐。安謀科技（Arm China）推出的“周易”X3 NPU IP，通過前瞻性的架構創新、深度的軟硬件協同優化及開放的生態構建，為破解端...
2025-12-18
安謀科技 AI NPU
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CC-Link IE TSN 認證落地，ADI 兩款芯片引領工業網絡融合
工業以太網的高效整合與精準調度已成為制造業數字化升級的核心需求。近日，ADI旗下兩款工業以太網時間敏感網絡（TSN）交換芯片ADIN6310與ADIN3310，成功通過CC-Link IE TSN標準認證。此項里程碑式成果，不僅充分印證了ADI芯片的卓越性能與技術可靠性，更為信息技術（IT）網絡與運營技術（OT）網絡的...
2025-12-18
ADI CC-Link TSN 智能工廠
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英飛凌 HYPERRAM?存儲芯片通過 AMD 驗證
全球半導體領域兩大領軍企業達成重要合作成果——英飛凌與AMD成功完成關鍵技術驗證，雙方聯合推出的存儲解決方案為嵌入式人工智能（AI）領域帶來突破性進展。英飛凌64MB HYPERRAM?存儲芯片及配套控制器IP，在AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評估套件上的測試表現優異為邊緣嵌入式AI應用的研發及...
2025-12-18
存儲芯片 AMD UltraScale FPGA 英飛凌
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GHz 頻段的射頻功率測量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作
在無線電技術實踐領域，GHz頻段設備的研發與制作常受困于信號測量。頻率與幅度作為射頻信號的核心表征參數，目前平價3GHz頻率計數器雖容易獲取，但射頻功率計成本較高難以普及。DL5NEG分享的技術方案提供了有效解決路徑：通過BAT62-02W二極管搭建低成本射頻功率傳感器，能將射頻信號轉為直流電壓以...
2025-12-18
BAT62-02W 二極管 傳感器 GHz 頻段設備 射頻功率計
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10nm以下DRAM，三星DRAM技術突破存儲行業版圖
10納米以下節點的技術突破成為行業發展的關鍵門檻。三星電子與三星綜合技術院聯手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術，為這一領域帶來了歷史性突破。這項以非晶態銦鎵氧化物材料為核心的創新，不僅攻克了CoP架構量產的高溫工藝難題，更以扎實的穩定性數據...
2025-12-18
三星電子 DRAM 技術 半導體晶體管 存儲技術
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村田參展CES 2026
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）將出展2026年1月6日至1月9日在美國拉斯維加斯舉辦的國際科技展會CES 2026。村田將在展位上重點展示移動出行、智能網聯、健康管理等領域的技術，以及幫助提升生活安全度與舒適性的解決方案和設備。
2025-12-18
村田
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2025智能戒指排名前十選購指南:從健康監測到穿戴的全面解析
近年來,可穿戴設備市場正經歷一場由“手腕”向“手指”的悄然遷移。據IDC《2025年全球可穿戴設備趨勢報告》顯示,智能戒指品類在2024年出貨量同比增長達187%,預計2026年市場規模將突破50億美元。
2025-12-18
智能戒指
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